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產(chǎn)品資料

松下晶圓定位傳感器主要技術(shù)指標(biāo)

如果您對(duì)該產(chǎn)品感興趣的話,可以
產(chǎn)品名稱: 松下晶圓定位傳感器主要技術(shù)指標(biāo)
產(chǎn)品型號(hào): M-DW1
產(chǎn)品展商: 神視SUNX
產(chǎn)品文檔: 無(wú)相關(guān)文檔

簡(jiǎn)單介紹

松下晶圓定位傳感器主要技術(shù)指標(biāo)M-DW1 特點(diǎn) 安全性**的LED式 以往使用激光的激光式定位傳感器,激光會(huì)從加載口內(nèi)側(cè)穿過(guò)FOUP直射操作人員,十分危險(xiǎn)。 M-DW1成功使用LED光源。確保操作人員安全。 可檢測(cè)涂氮晶圓 松下晶圓定位傳感器主要技術(shù)指標(biāo)M-DW1


松下晶圓定位傳感器主要技術(shù)指標(biāo)  的詳細(xì)介紹

松下晶圓定位傳感器主要技術(shù)指標(biāo)M-DW1


特點(diǎn)
安全性**的LED式
以往使用激光的激光式定位傳感器,激光會(huì)從加載口內(nèi)側(cè)穿過(guò)FOUP直射操作人員,十分危險(xiǎn)。
M-DW1成功使用LED光源。確保操作人員安全。
可檢測(cè)涂氮晶圓
氮化膜具有可吸收特定波長(zhǎng)光的性質(zhì),吸收的波長(zhǎng)因氮化膜的厚度而不同。因此,對(duì)于使用單波長(zhǎng)激光的傳感器,可能會(huì)因光全被吸收而無(wú)法檢測(cè)。
而LED光源的光具有一定波長(zhǎng)段,即使氮化膜晶圓也可準(zhǔn)確檢測(cè)。
0.5ms的*速反應(yīng)
實(shí)現(xiàn)0.5ms的*速反應(yīng)。兼顧*速反應(yīng)性和*精度。
亦可檢測(cè)玻璃晶圓
M-DW1以反射光的位置來(lái)檢測(cè),不管反射光量的多少都能檢測(cè)出玻璃晶圓。
基于2段受光元件的*精度位置檢測(cè)
利用反射光量檢測(cè)時(shí),反射光量和晶圓的邊緣形狀會(huì)影響檢測(cè)結(jié)果。M-DW1的受光部使用2段受光元件,通過(guò)反射光位置而非反射光量進(jìn)行檢測(cè)。因此,受晶圓厚度和反射光量的影響較小。
技術(shù)參數(shù)
中心測(cè)量距離    45mm
檢測(cè)物體          3英寸以上的半導(dǎo)體晶圓
       (注):檢測(cè)8英寸以下的晶圓時(shí),可能會(huì)因晶圓間距、定位邊或表面的狀態(tài)等而影響檢測(cè)。
可對(duì)應(yīng)檢測(cè)面 有受光方向反射面的端面形狀的檢測(cè)面
          (注):對(duì)于經(jīng)研磨后厚度變薄的晶圓,如果其端面呈刀刃狀,可能會(huì)因光線不能從檢測(cè)面向受光方向反射而難以檢測(cè)。
輸出:輸出動(dòng)作 可用切換開(kāi)關(guān)選擇入光時(shí)ON/非入光時(shí)ON
輸出:短路保護(hù) 裝備(自動(dòng)復(fù)位)
投光停止輸入 信號(hào)條件
               ?投光停止:斷開(kāi)或4?8V
               ?投光:0?3V或9V?+V(26.4V MAX.)
靈敏度切換輸入 信號(hào)條件
               ?輸入OFF:斷開(kāi)或4?8V
               ?輸入ON :0?3V或9V?+V(26.4V MAX.)
靈敏度設(shè)定方法 背面教導(dǎo):按本體靈敏度設(shè)定按鈕運(yùn)行
               檢測(cè)靈敏度切換:本體開(kāi)關(guān)2bit、4級(jí)或外部輸入的2級(jí)選擇式
反應(yīng)時(shí)間  500μs以下
工作狀態(tài)指示燈 橙色LED(輸出ON時(shí)亮起)
穩(wěn)定指示燈 綠色LED(穩(wěn)定入光時(shí)、穩(wěn)定非入光時(shí)亮起點(diǎn)燈)
定時(shí)器功能 裝備約2ms固定斷開(kāi)延遲定時(shí)器 有效/無(wú)效切換式
檢測(cè)角度        12.5±5°
          (注):晶圓旋轉(zhuǎn)時(shí),定位邊的*** 大跳動(dòng)角度約為±20°。
晶圓間距     間距3mm以上時(shí),可按通常靈敏度進(jìn)行分離檢測(cè)
         (注):斜向插入8英寸晶圓時(shí)的中央附近的間距。檢測(cè)帶定位邊的晶圓時(shí),對(duì)于避開(kāi)定位邊的檢測(cè)位置,晶圓間距變得更窄,檢測(cè)信號(hào)無(wú)法分解,變?yōu)檫B續(xù)的寬幅信號(hào)。
適用晶圓盒 SEMI規(guī)格FOUP晶圓盒/開(kāi)放式晶圓盒
電源電壓 12?24V DC±10% 脈動(dòng)P-P10%以下
消耗電流          65mA以下
耐環(huán)境性:絕緣電阻 所有電源連接端子與外殼之間,20MΩ以上,基于DC250V的*阻表
耐環(huán)境性:耐振動(dòng) 頻率10?500Hz 雙振幅3mm X,Y和Z方向各2小時(shí)
耐環(huán)境性:耐沖擊 耐久98m/s2(約10G) XYZ方向各5回
投光元件 LED(調(diào)制式)
耐環(huán)境性:保護(hù)構(gòu)造 IP20(IEC)
耐環(huán)境性:使用環(huán)境溫度 0℃-+55℃(注意不可結(jié)露)、存儲(chǔ)時(shí):?10℃-+70℃
耐環(huán)境性:使用環(huán)境濕度 35%-85%RH、存儲(chǔ)時(shí): 35%-85%RH
耐環(huán)境性:使用環(huán)境照度 白熾燈:受光面照明度3,000lx以下、熒光燈:受光面照明度1,500lx以下
耐環(huán)境性:耐電壓    AC1,000V 1分鐘 所有電源連接端子與外殼之間
輸出    NPN輸出/PNP輸出 可由切換開(kāi)關(guān)選擇
        NPN開(kāi)路集電極晶體管
        ?*** 大流入電流:100mA
        ?外加電壓:30V DC以下(輸出和0V之間)
        ?剩余電壓:1V以下(流入電流為100mA時(shí)), 0.4V以下(流入電流為16mA時(shí))
        PNP開(kāi)路集電極晶體管
        ?*** 大源電流:100mA
        ?外加電壓:30V DC以下(輸出和+V之間)

        ?剩余電壓:1V以下(源電流為100mA時(shí)), 0.4V以下(源電流為16mA時(shí))

松下晶圓定位傳感器主要技術(shù)指標(biāo)M-DW1

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